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RFD4N06LSM9A产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 4A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-252AA

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):600 毫欧 @ 1A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8nC @ 10V

Vgs(最大值):±10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):30W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252AA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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