RFD4N06LSM9A产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 4A DPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-252AA

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 1A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：30W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252AA

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）