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  • RFD8P059A图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • RFD8P059A
  • 数量65000 
  • 厂家FAI 
  • 封装原厂封装 
  • 批号23+ 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • RFD8P059A
  • 数量57500 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-252-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • RFD8P059A图
  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

     该会员已使用本站13年以上
  • RFD8P059A
  • 数量865000 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装TO-252 
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配单直通车
RFD8P05SM产品参数
型号:RFD8P05SM
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.71
Is Samacsys:N
其他特性:MEGAFET
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:48 W
最大功率耗散 (Abs):40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):100 ns
最大开启时间(吨):60 ns
Base Number Matches:1
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