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RFD8P05产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK

详细描述:通孔 P 沟道 50V 8A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):50V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):300 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):80nC @ 20V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):48W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-251AA

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装:75

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