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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量1100 
  • 厂家HARRIS/哈里斯 
  • 封装TO252 
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  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 一级代理正品采购
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家INTERSIL 
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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量68000 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装TO-252 
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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量76036 
  • 厂家HARRIS 
  • 封装TO252 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
  • RFD8P05SM9A MOS(场效应管)图
  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • RFD8P05SM9A MOS(场效应管)
  • 数量14500 
  • 厂家HARRIS/哈里斯 
  • 封装 
  • 批号24+ 
  • 原装进口正品现货,假一罚十价格优势
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量78800 
  • 厂家RENESAS-瑞萨. 
  • 封装TO-252-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量36218 
  • 厂家HARRIS 
  • 封装车规-晶体管 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥3.2元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 数量3400 
  • 厂家INTERSIL 
  • 封装TO-252 
  • 批号23+ 
  • 现货只售原厂原装可含13%税
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  • 深圳市迈锐达科技有限公司

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  • 数量7200 
  • 厂家HAR 
  • 封装 
  • 批号08+ 
  • 原装现货!冷门优势库存
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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 数量1100 
  • 厂家HARRIS 
  • 封装TO252 
  • 批号21+ 
  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 数量9000 
  • 厂家INTERSIL 
  • 封装TO-252 
  • 批号2021+ 
  • 百分之百进口原装现货假一赔百
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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家ADI 
  • 封装TSSOP28 
  • 批号2022+ 
  • 电子元器件一站式配套服务QQ:122350038
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量8769 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-252 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 数量20000 
  • 厂家INTERSIL 
  • 封装TO-252 
  • 批号22+ 
  • 深圳现货库存,保证原装正品
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  • 15973558688 QQ:1940213521
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量9800 
  • 厂家HAR 
  • 封装原厂原装 
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  • 原厂渠道,全新原装现货,欢迎查询!
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市澳亿芯电子

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产品型号RFD8P05SM9A的概述

芯片RFD8P05SM9A的概述 RFD8P05SM9A是一款高效的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流和高电压的开关电源和其他电子设备中。该器件具有出色的开关性能和良好的热稳定性,因此在现代电子设计中受到广泛关注与应用。 本芯片的设计特征使其非常适合于电源管理、马达驱动、LED驱动及其他面临高频开关应用的地方。RFD8P05SM9A采用的是N沟道MOSFET架构,这种结构的特点是低导通电阻和高电流承载能力,能够有效降低功耗,提高系统的整体效率。同时,该器件的封装和设计也使其能够在各种恶劣环境下稳定运行,使得工程师在设计中得到了更多的灵活性。 芯片RFD8P05SM9A的详细参数 RFD8P05SM9A的关键参数包括: - 最大漏极源极电压 (V_DS): 55V - 最大漏极电流 (I_D): 8A - 导通电阻 (R_DS(on)): 0.055Ω (...

产品型号RFD8P05SM9A的Datasheet PDF文件预览

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配单直通车
RFD8P05SM9A产品参数
型号:RFD8P05SM9A
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:TO-252AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.76
Is Samacsys:N
其他特性:MEGAFET
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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