RQJ0303PGDQA#H6产品参数

品牌：Renesas Electronics America

描述：MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK

详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 800mW（Ta） 3-MPAK

制造商：Renesas Electronics America

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：68 毫欧 @ 1.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12nC @ 10V

Vgs（最大值）：+10V，-20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：625pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：800mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：3-MPAK

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）