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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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SI4914BDY-T1-E3产品参数
型号:SI4914BDY-T1-E3
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:7.89
Is Samacsys:N
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8.4 A
最大漏极电流 (ID):8.4 A
最大漏源导通电阻:0.021 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3.1 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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