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SKM200GB125D产品参数
型号:SKM200GB125D
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数:2
制造商包装代码:CASE D56
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:8.46
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):200 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7
JESD-609代码:e2
元件数量:2
端子数量:7
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):445 ns
标称接通时间 (ton):111 ns
VCEsat-Max:3.85 V
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