SQD25N15-52_GE3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 150V 25A TO252

详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 25A（Tc） 107W（Tc） TO-252，（D-Pak）

制造商：Vishay Siliconix

系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：51nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2200pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：107W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,000

其它名称：SQD25N15-52-GE3 SQD25N15-52-GE3-ND SQD25N15-52_GE3-ND SQD25N15-52_GE3TR