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STP100N10F7产品参数和技术文档

STP1.0产品图

STP100N10F7产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.85000
$2.85
10
2.57600
$25.76
100
2.07000
$207.00
500
1.61000
$805.00
1,000
1.33400
$1,334.00

STP100N10F7产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N CH 100V 80A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220

制造商:STMicroelectronics

系列:DeepGATE™,STripFET™ VII

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 40A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):61nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4369pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):150W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-13550-5

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