射频(RF) MEMS

20世纪90年代初，休斯实验室研制成功第一个专为微波信号设计的MEMS开关，由此RFMEMS成为众多公司和大学的研究热点。RFMEMS器件表现出许多优异的性能指标，在一些特定的条件下，远远超过了传统的固态微波元器件所能达到的指标。主要研究领域分为四方面：①RFMEMS开关、可变电容、电感，适用于DC-120GHz。②MEMS微波传输线、高Q值谐振器、滤波器、天线，适用于12G～200GHz。③FBAR（薄膜体声波谐振器）和滤波器，利用声波谐振原理，频率高达3GHz，Q值超过2000。④微机械谐振器和滤波器，利用机械悬臂梁的谐振，频率在几百兆赫兹。

RFMEMS是用MEMS技术MSM80C88A-10RS.html" target="_blank" title="MSM80C88A-10RS">MSM80C88A-10RS加工的RF产品。RFMEMS器件可望实现和微波单片集成电路(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit，MMIC)的高级集成，使制作集信息的采集、处理、传输、执行于一体的系统集成芯片(SystemonaChip，SoC)成为可能。

RFMEMS器件主要可以分为两大类：一类称为无源MEMS，其结构无可动零件；另一类称为有源MEMS，有可动结构。在电应力作用下，可动零件会发生形变或移动。

RFMEMS器件不仅可以进行圆片级加工制造、产品批量化，具有价格便宜、体积小、重量轻、可靠性高等优点，而且具有插损小、可集成、驱动功耗小等优点，可用于相控阵雷达、电子对抗系统中，减小雷达的体积重量，提高带宽性能。RFMEMS开关表现出优越的RF特征，例如在频率较低（例如频率约为10GHz时）的串联配置开关中，插入损耗约为o．ldB，隔离度约为30dB，非常适合在RF前端、电容器组、路由延时相移网络和可重构天线中使用。

市场上的微波升关主要有美国DOWKEY公司的DKM812-3型SPDT微波开关和RADANTMEMS公司的RMSW100SPDT微波开关。表2-43列出了美国DOWKEY公司RFMEMS开关的主要技术指标。

国内在RFMEMS开关和RFMEMS滤波器等方面已有可供实用的器件。主要研制、生产单位有中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所等。