TPC8012-H(TE12L,Q)产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.8A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：π-MOSV

包装：Digi-Reel®

零件状态：Digi-Key 停产

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 900mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：440pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

标准包装：1

其它名称：TPC8012-HDKR TPC8012-HDKR-ND TPC8012-HQDKR TPC8012HTE12LQ