芯片XCF128XFT64C的概述
XCF128XFT64C是一款由赛灵思(Xilinx)公司生产的非易失性存储器,有效地服务于各种FPGA(现场可编程逻辑阵列)和其他数字电路应用。作为嵌入式系统中的重要组件,其设计主要是为了提供灵活的配置存储,以支持各种不同的应用需求。
此芯片主要采用了SRAM配置的FPGA,允许在重启或掉电后还原FPGA的状态。XCF128XFT64C基于先进的存储技术,提供较高的读写速度以及较大的存储容量,成为了现代电子电路系统中不可或缺的一部分。
芯片XCF128XFT64C的详细参数
XCF128XFT64C具有不少关键参数,使其在市场上占据了一席之地。其主要参数如下:
- 存储容量:128Mb - 组织结构:64M x 16 - 操作电压:3.3V(典型) - 读写速度:高达66MHz,最低可达25MHz - 数据总线宽度:16位 - 封装类型:TQFP(Thin Quad Flat Package) - 引脚数量:64引脚 - 工作温度范围:-40°C至+100°C - 管理方式:支持多种编程协议,如JTAG和SPI - 非易失性:可自动保存配置,即使在电源关闭时也可保持数据完整。
这些参数不仅使XCF128XFT64C成为一款高性能的存储芯片,也使其在多种应用场景下表现出色。
芯片XCF128XFT64C的厂家、包装与封装
XCF128XFT64C的生产厂家是赛灵思公司,这是一家在FPGA及相关技术领域中,具有全球领先地位的半导体公司。赛灵思在市场上以高质量和高性能闻名,用户普遍对其产品质量和技术支持给予了高度评价。
该芯片的封装方式为TQFP封装,这种封装形式支持薄型设计,非常适合空间受到限制的应用场合。TQFP封装具有较高的引脚排布密度,使其能够在小型电子设备中实现高效的连接。
芯片XCF128XFT64C的引脚和电路图说明
XCF128XFT64C的引脚分布设计非常合理,为用户提供了多种功能连接。以下是主要引脚的功能说明:
- 数据引脚(D[15:0]):用于存储和读取数据。 - 地址引脚(A[23:0]):用于指定数据存储的位置。 - 控制引脚(CE, OE, WE):提供了芯片使能(Chip Enable)、输出使能(Output Enable)和写入使能(Write Enable)控制信号。 - 时钟引脚(CLK):用于同步数据传输,确保数据稳定性和时序准确性。 - 电源引脚(VCC, GND):提供芯片运行所需的电源。
电路图的设计采用了标准的三态缓冲器和逻辑门配置,允许在多个设备之间进行数据通信而不干扰其他设备的工作。这种设计在FPGA系统架构中非常普遍,保证了数据传输的高效和灵活性。
芯片XCF128XFT64C的使用案例
XCF128XFT64C被广泛应用于众多电子产品中,尤其是在需要快速重新配置的FPGA系统。以下是几个具体的应用案例:
1. 通信设备:在现代通信设备中,XCF128XFT64C可用于存储系统配置参数和用户数据。由于其非易失性特点,能够在电源失效时依旧保存重要信息,减少了设备启动时的重配置需求。
2. 工业自动化:在许多工业控制系统中,XCF128XFT64C用于存储控制程序和实时数据。这种快速存取和高可靠性的存储解决方案,能够在严苛环境下提供稳定的支持。
3. 汽车电子:越来越多的汽车电子系统开始集成FPGA,XCF128XFT64C可作为此类系统的重要存储器件。其能够存储复杂的控制逻辑,并在车辆启动时迅速加载,提高了系统的反应速度。
4. 消费电子:例如智能家居产品,XCF128XFT64C可用于存储用户设定的参数、设备状态等信息,使得智能家居系统能够快速适应用户需求。同时,非易失性特性减少了因电力中断导致的数据丢失风险。
5. 医疗仪器:在高精度医疗设备中,如监测仪器和成像设备,XCF128XFT64C可存储复杂的算法和配置数据,提供精确的控制和高效的数据处理能力。
结尾说明
XCF128XFT64C作为一款高效、可靠的存储芯片,其多样的应用前景和强大的性能使其在FPGA设计中具有不可替代的意义。无论是在通信、工业、汽车还是消费电子领域,它都展现了卓越的价值。赛灵思致力于持续创新,推动这一产品在更广泛的应用中发挥更大作用。
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型号: | XCF128XFT64C |
是否无铅: | 含铅 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active |
零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TBGA, BGA64,8X8,40 |
针数: | 64 |
Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 2.32 |
最长访问时间: | 85 ns |
其他特性: | ASYNCHRONOUS READ MODE |
命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B64 |
JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13 mm |
内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 4,127 |
端子数量: | 64 |
字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TBGA |
封装等效代码: | BGA64,8X8,40 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
页面大小: | 4 words |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 1.8,1.8/3.3 V |
编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,64K |
最大待机电流: | 0.000075 A |
子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.053 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE |
宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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