ZTX948STOA原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义引脚图及功能-中国IC网-芯三七

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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
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首天国际（深圳）科技有限公司
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深圳市誉兴微科技有限公司
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万三科技(深圳)有限公司
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深圳市楷兴电子科技有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 2 JUNE 94

ZTX948

FEATURES

4.5 Amps continuous current

Up to 20 Amps peak current

Very low saturation voltage

Excellent gain up to 20 Amps

Very low leakage

Exceptional gain linearity down to 10mA

Spice model available

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-40

-20

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-6

Peak Pulse Current

-20

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

-4.5

P_totp

1.58

°C

P_tot

1.2

T_j:Tstg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-40

-20

-6

-55

-30

-8

I_C=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltag

IC=-1µA, RB ≤1KΩ

I_C=-10mA*

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

I_E=-100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-50

-1

µA

V_CB=-30V

V_CB=-30V, T_amb=100°C

I_CER

R ≤1KΩ

-50

-1

µA

V_CB=-30V

_CB=-30V, T_amb=100°C

I_EBO

-10

V_EB=-6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-45

-90

-180

-230

-100

-150

-250

-310

I_C=-0.5A, I_B=-10mA*

I_C=-2A, I_B=-200mA*

I_C=-4A, I_B=-400mA*

I_C=-5A, I_B=-300mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-960

-1100 mV

I_C=-5A, I_B=-300mA*

3-309

ZTX948

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C)

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Base-Emitter

Turn-On Voltage

V_BE(on)

-860

-1000 mV

IC=-5A, V_CE=-1V*

Static Forward

Current Transfer Ratio

h_FE

100

200

160

130

I_C=-10mA, V_CE=-1V

I_C=-1A, V_CE=-1V*

I_C=-5A, V_CE=-1V*

I_C=-10A, V_CE=-1V*

I_C=-20A, V_CE=-1V*

300

Transition Frequency

f_T

MHz

I_C=-100mA, V_CE=-10V

f=50MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

163

V_CB=-10V, f=1MHz

t_on

t_off

120

126

I_C=-4A, I_B1=-400mA

I_B2=400mA, V_CC=-10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

MAX.

UNIT

Thermal Resistance: Junction to Ambient

Junction to Case

R_th(j-amb)

R_th(j-case)

150

°C/W

4.0

3.0

2.0

1.0

D.C.

150

D=t

1/tP

100

t_P

D=0.6

D=0.2

D=0.1

D=0.05

Single Pulse

-40 -20

0.0001 0.001

0.01

0.1

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-310

ZTX948

TYPICAL CHARACTERISTICS

-55°C

+25°C

+175°C

I^C/I^B=50

I^C/I^B=10

T^amb=25°C

I^C/I^B=10

1.6

1.4

1.2

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.001

0.01

0.1

10 20

0.001

0.01

0.1

10 20

I^C- Collector Current (Amps)

VCE(sat) v IC

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

+100°C

+25°C

-55°C

V_CE=1V

I_C/I_B=10

1.6

1.4

1.6

1.4

1.2

300

200

100

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0.001

0.01

0.1

10 20

0.001

0.01

0.1

10 20

IC - Collector Current (Amps)

BE(sat)

v I

Single Pulse Test at T^amb=25°C

100

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

V^CE=1V

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

D.C.

100ms

10ms

1.0ms

0.1ms

0.001

0.01

0.1

10 20

0.1

100

IC - Collector Current (Amps)

BE(on)

VCE - Collector Voltage (Volts)

v I

Safe Operating Area

3-311

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ZTX948STOA产品参数

型号:	ZTX948STOA
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.14
最大集电极电流 (IC)：	4.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
VCEsat-Max：	0.31 V
Base Number Matches：	1

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