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ZXMN6A09DN8TA产品参数和技术文档

ZXMN6A09DN8TA产品图

ZXMN6A09DN8TA产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
500
1.20750
$603.75

ZXMN6A09DN8TA产品参数

品牌:Diodes Incorporated

描述:MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SO

制造商:Diodes Incorporated

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 8.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24.2nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1407pF @ 40V

功率 - 最大值:1.25W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

标准包装:500

其它名称:ZXMN6A09DN8TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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