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APM2055N 参数 Datasheet PDF下载

APM2055N图片预览
型号: APM2055N
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 151 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2055N
绝对最大额定值(续)
符号
参数
T
A
=25
°
C
P
D
最大功率耗散
T
A
=100
°
C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
TO-252
SOT-223
TO-252
SOT-223
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
50
3
10
1.2
150
-55到150
50
°
C
°
C
°
C / W
W
单位
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM2055N
分钟。
典型值。
马克斯。
20
1
0.7
0.9
1.5
±100
55
75
140
0.7
70
90
160
1.3
V
mΩ
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250µA
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250
µ
A
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=2A
单位
V
µA
V
nA
V
SD
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
二极管的正向电压
I
S
= 2A ,V
GS
=0V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DS
=15V, V
GS
=4.5V,
I
D
=1.5A
7
2.5
1.5
8.5
nC
V
DD
= 15V ,我
D
=2A,
V
GS
= 10V ,R
G
=6Ω
9.2
14
31
16
18.6
27
58
21
ns
版权
茂达电子股份有限公司
A.1版本 - 二月, 2003
2
www.anpec.com.tw