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APM2055N图片预览
型号: APM2055N
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 151 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2055N
物理规格
终端物料
铅焊
镀锡铜(焊接材料: 90/10或63/37锡铅)
满足EIA规格RSI86-91 , ANSI / J- STD- 002类别3 。
再溢流条件
(IR /对流或VPR回流)
参考JEDEC标准J- STD- 020A 1999年4月
温度
峰值温度
183
°
C
预热温度
时间
分类回流描述
对流或IR /
对流
平均升温速率( 183
°
C到峰值)
3
°
C /秒。
120秒以内
预热温度125 ± 25
°
C)
60 - 150秒
183以上的温度保持
°
C
在5个时间
°
实际峰值温度10 -20秒ç
峰值温度范围
220 +5/-0
°
C或235 + 5 / -0
°
C
下降斜率
6
°
C /秒。
6分钟最多。
25时
°
C到峰值温度
VPR
10
°
C /秒。
60秒
215-219
°
C或235 + 5 / -0
°
C
10
°
C /秒。
包装回流条件
PKG 。厚度
2.5mm
和所有的BGA
对流220 + 5 / -0
°C
VPR 215-219
°C
IR /对流220 + 5 / -0
°C
PKG 。厚度< 2.5mm甚至
PKG 。卷
350 mm³
PKG 。厚度< 2.5毫米和pkg 。
成交量< 350mm³
对流235 + 5 / -0
°C
VPR 235 + 5 / -0
°C
IR /对流235 + 5 / -0
°C
www.anpec.com.tw
版权
茂达电子股份有限公司
A.1版本 - 二月, 2003
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