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APM2055N 参数 Datasheet PDF下载

APM2055N图片预览
型号: APM2055N
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 151 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2055N
可靠性测试程序
测试项目
可焊性
HOLT
TST
MIL-STD-883D-2003
MIL- STD 883D - 1005.7
JESD - 22 -B , A102
MIL- STD 883D - 1011.9
描述
245 ° C, 5秒
1000小时偏置@ 125°C
168小时, 100 %RH , 121℃
-65℃ 〜150 ℃,200周期
载带
Po
E
P1
P
D
t
F
W
Bo
Ao
Ko
D1
T2
J
C
A
B
T1
应用
A
330±1
B
62±1.5
D
1.5+ 0.1
B
100
±
2
D
1.5 +0.1
C
12.75±
0.15
D1
1.5+ 0.1
C
13
±
0. 5
D1
1.5± 0.25
J
2
±
0.6
Po
T1
12.4 +0.2
P1
T2
2± 0.2
Ao
W
12
±
0.3
Bo
7.5
±
0.1
W
16+ 0.3
- 0.1
Bo
10.4± 0.1
P
8
±
0.1
Ko
2.1
±
0.1
P
8
±
0.1
Ko
2.5± 0.1
E
1.75± 0.1
t
0.3
±
0.05
E
1.75± 0.1
t
0.3±0.05
SOT-223
F
5.5
±
0.05
4.0
±
0.1 2.0
±
0.05 6.9
±
0.1
J
2
±
0.5
Po
4.0
±
0.1
9
应用
A
330
±3
T1
16.4 + 0.3
-0.2
P1
2.0
±
0.1
T2
2.5± 0.5
Ao
6.8
±
0.1
TO-252
F
7.5
±
0.1
版权
茂达电子股份有限公司
A.1版本 - 二月, 2003
www.anpec.com.tw