APM2055N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM2055N
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 151 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM2055N

典型特征（续）

源极 - 漏极二极管正向电压

250

单脉冲功率

- 源电流（A ）

200

功率（W）的

1.2

1.4

1.6

150

=150°C

=25°C

100

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1E-3

0.01

0.1

100

- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

D=0.2

D=0.1

D=0.05

0.1

D=0.02

D=0.01

单脉冲

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=50°C/W

3.T

-T

thJA

0.01

1E-4

1E-3

0.01

0.1

100

方波脉冲持续时间（秒）

版权



茂达电子股份有限公司

A.1版本 - 二月， 2003

www.anpec.com.tw

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