APM2055N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM2055N
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 151 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM2055N

典型特征

输出特性

=4,5,6,7,8,9,10V

传输特性

- 漏电流（A ）

=3V

D-

漏电流（ A）

=125°C

=2V

=25°C

=-55°C

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

- 漏极至源极电压（ V）

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.50

=250uA

导通电阻与漏电流

0.125

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.100

=4.5V

0.075

=10V

0.050

0.025

0.000

-25

100 125 150

10 12 14 16 18 20

TJ - 结温（ ° C）

- 漏电流（ A）

版权



茂达电子股份有限公司

A.1版本 - 二月， 2003

www.anpec.com.tw

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