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APM2317A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: APM2317A
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 178 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2317A
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意:
*表面安装在1英寸
2
垫区域,叔
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻,结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=-4.5V
等级
-20
±12
-4.5
-18
-1
150
-55到150
0.83
0.3
150
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
10sec.
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
电气特性
符号
参数
测试条件
APM2317A
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时,我
DS
=-250µA
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
a
a
-20
-1
-30
-0.5
-0.7
-1
±100
28
38
55
-0.7
14
35
50
75
-1.3
20
V
µA
V
nA
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
b
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250µA
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-4.5A
V
GS
= -2.5V ,我
DS
=-2.5A
V
GS
= -1.8V ,我
DS
=-2A
I
SD
= -1A ,V
GS
=0V
mΩ
V
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
栅极 - 源电荷
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-4.5A
2.1
4.7
nC
版权
©
茂达电子股份有限公司
启B.1 - 2006年5月
2
www.anpec.com.tw