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APM2317A 参数 Datasheet PDF下载

APM2317A图片预览
型号: APM2317A
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 178 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2317A
典型特征(续)
输出特性
18
16
14
V
GS
= -3, -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
100
90
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
-2V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
GS
=1.8V
-I
D
- 漏电流( A)
12
10
8
6
4
2
0
0.0
-1.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
3
6
9
12
15
18
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
-I
D
- 漏电流( A)
漏源导通电阻
80
I
D
= -4.5A
70
栅极阈值电压
1.8
I
DS
= -250
µ
A
1.6
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
归一化阈值电压
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
60
50
40
30
20
10
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
版权
©
茂达电子股份有限公司
启B.1 - 2006年5月
5
www.anpec.com.tw