APM2317A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM2317A
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 178 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM2317A

典型特征

功耗

1.0

0.9

0.8

5.0

4.5

4.0

漏电流

-I

- 漏电流（ A）

0.7

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

= 25℃ ，V

=-4.5V

80 100 120 140 160

合计

- 功率（W ）

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

=25 C

80 100 120 140 160

0.0

- 结温（ ° C）

安全工作区

瞬态热阻抗

归一化瞬态热阻

占空比= 0.5

0.2

0.1

-I

- 漏电流（ A）

S（O

LIM

300

1ms

0.1

0.05

0.02

0.01

10ms

0.1

100ms

0.01

单脉冲

T = 25℃

0.01

0.1

100

1E-3

1E-4 1E-3 0.01

安装在1英寸垫

： 150℃ / W

0.1

100

-V

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

版权

茂达电子股份有限公司

启B.1 - 2006年5月

www.anpec.com.tw

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案