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APM2317A 参数 Datasheet PDF下载

APM2317A图片预览
型号: APM2317A
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 178 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2317A
典型特征(续)
漏源导通电阻
1.8
V
GS
= -4.5V
1.6
I
DS
= -4.5A
源极 - 漏极二极管的正向
20
10
T
j
=150 C
o
归一化导通电阻
1.2
1.0
0.8
0.6
R
ON
@T
j
= 25℃ : 28米
0.4
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
o
-I
S
- 源电流( A)
1.4
T
j
=25 C
1
o
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
T
j
- 结温( ° C)
-V
SD
- 源 - 漏极电压( V)
电容
2100
1800
Frequency=1MHz
栅极电荷
5.0
4.5
V
DS
= -10V
I
D
= -4.5A
-V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
20
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Ç - 电容(pF )
1500
1200
900
600
300
CRSS
0
0
4
8
12
西塞
科斯
16
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
Q
G
- 栅极电荷( NC)
版权
©
茂达电子股份有限公司
启B.1 - 2006年5月
6
www.anpec.com.tw