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APM2317A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: APM2317A
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 178 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2317A
分类回流描述(续)
表1.锡铅Entectic工艺 - 包装峰值回流温度
3
3
封装厚度
体积mm
体积mm
<350
≥350
<2.5米米
240 +0/-5°C
225 +0/-5°C
≥2.5
m m
225 +0/-5°C
225 +0/-5°C
表2.无铅工艺 - 包装分类回流温度
3
3
3
封装厚度
Volum ê M M
体积mm
体积mm
<350
350-2000
>2000
<1.6米米
260 +0°C*
260 +0°C*
260 +0°C*
1.6 m m – 2.5 m m
260 +0°C*
250 +0°C*
245 +0°C*
≥2.5
m m
250 +0°C*
245 +0°C*
245 +0°C*
*宽容:设备制造商/供应商
保证工艺的兼容性达到和
包括规定的分类温度(这意味着峰值回流温度+ 0℃。
例如260℃ + 0℃) ,在额定MSL水平。
可靠性测试程序
测试项目
可焊性
HOLT
TST
MIL-STD-883D-2003
MIL- STD 883D - 1005.7
JESD - 22 -B , A102
MIL- STD 883D - 1011.9
描述
245 ° C, 5秒
1000小时偏置@ 125°C
168小时, 100 %RH , 121℃
-65℃ 〜150 ℃,200周期
载带&卷轴尺寸
t
E
Po
P
P1
D
F
W
Bo
Ao
D1
Ko
版权
©
茂达电子股份有限公司
启B.1 - 2006年5月
9
www.anpec.com.tw