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EDD51163DBH-5BLS-F 参数 Datasheet PDF下载

EDD51163DBH-5BLS-F图片预览
型号: EDD51163DBH-5BLS-F
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内容描述: 512M DDR位移动RAM ™ WTR (宽温度范围) ,低功耗功能 [512M bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature Range), Low Power Function]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 60 页 / 759 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD51163DBH-LS
直流特性1 ( TA =
−25°C
至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V , VSS和VSSQ = 0V)
参数
符号
GRADE
马克斯。
单位
测试条件
一家银行主动预充电,
CKE = H ,有效的命令之间/ CS = H ,
TCK TCK = (分钟)的tRC =的tRC (最小) ,
地址总线输入切换;
数据总线输入稳定
所有银行闲置,
CKE = L , / CS = H , TCK TCK = (分钟) ,
地址和控制输入切换;
数据总线输入稳定
所有银行闲置,
CKE = L , / CS = H , CK = L , / CK = H ,
地址和控制输入切换;
数据总线输入稳定
所有银行闲置,
CKE = H , / CS = H , TCK TCK = (分钟) ,
地址和控制输入切换;
数据总线输入稳定
所有银行闲置,
CKE = H , / CS = H , CK = L , / CK = H ,
地址和控制输入切换;
数据总线输入稳定
一个活跃的银行,
CKE = L , / CS = H , TCK TCK = (分钟) ,
地址和控制输入切换;
数据总线输入稳定
一个活跃的银行,
CKE = L , / CS = H , CK = L , / CK = H;
地址和控制输入切换;
数据总线输入稳定
一个活跃的银行,
CKE = H , / CS = H , TCK TCK = (分钟) ,
地址和控制输入切换;
数据总线输入稳定
一个活跃的银行,
CKE = H , / CS = H , CK = L , / CK = H ,
地址和控制输入切换;
数据总线输入稳定
一个活跃的银行,
连续突发读取或写入;
TCK = TCK (分钟),CL = 3, BL = 4, IOUT = 0毫安,
地址输入切换,
50 %的数据改变每个突发数据传输
CKE = H , TCK TCK = (分钟) , tRFC = tRFC (分钟) ,
地址和控制输入切换;
数据总线输入稳定
地址和控制输入是稳定的;
数据总线输入稳定
笔记
工作电流
( ACT - PRE )
IDD0
-5BLS
-6ELS
85
60
mA
待机电流在掉电IDD2P
0.8
mA
在掉电待机电流
IDD2PS
与时钟停止
0.6
mA
在待机电流
非掉电
IDD2N
-5BLS
-6ELS
6.0
5.0
mA
在不加电的待机电流
打倒时钟停止
IDD2NS
2.0
mA
在活动待机电流
掉电
IDD3P
3.0
mA
在活动待机电流
与时钟停止掉电
IDD3PS
2.0
mA
在非主动待机电流
掉电
IDD3N
10
mA
在非主动待机电流
与时钟停止掉电
IDD3NS
7.0
mA
突发工作电流
IDD4
-5BLS
-6ELS
145
120
mA
自动刷新当前
深度掉电
当前
IDD5
IDD8
106
10
mA
µA
初步数据表E1433E30 (版本3.0 )
6