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EDD51163DBH-5BLS-F 参数 Datasheet PDF下载

EDD51163DBH-5BLS-F图片预览
型号: EDD51163DBH-5BLS-F
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内容描述: 512M DDR位移动RAM ™ WTR (宽温度范围) ,低功耗功能 [512M bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature Range), Low Power Function]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 60 页 / 759 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD51163DBH-LS
AC特性
(大=
−25°C
至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V , VSS和VSSQ = 0V)
-5BLS
参数
时钟周期时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
从CK DQ输出访问时间, / CK
DQS -循环时间
从CK DQS输出访问时间, / CK
从CK DQ-出高阻抗的时间,
/ CK
从CK DQ-出低阻抗时,
/ CK
DQS到DQ歪斜
从DQS DQ / DQS输出保持时间
数据保持倾斜因子
DQ和DM输入建立时间
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入脉冲宽度
阅读序言
阅读后同步
写序言建立时间
写序言
写后同步
写命令首先锁定DQS
过渡
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入脉冲宽度
模式寄存器设置命令周期时间
主动到预充电命令期
要积极主动/自动刷新命令
自动刷新主动/自动刷新
指令周期
激活到读/写延迟
预充电到激活命令时期
列地址到列地址
延迟
主动对主动命令时期
写恢复时间
符号
TCK
总胆固醇
TCL
THP
TAC
TDSC
tDQSCK
太赫兹
TLZ
TDQSQ
tQH
TQHS
TDS
TDH
tDIPW
tRPRE
tRPST
tWPRES
tWPRE
tWPST
tDQSS
TDSS
tDSH
tDQSH
tDQSL
TIS
TIH
tIPW
超过tMRD
tRAS的
TRC
tRFC
tRCD的
激进党
TCCD
TRRD
tWR的
分钟。
5.0
0.45
0.45
分钟。
(TCH , TCL )
2.0
0.9
2.0
1.0
THP
TQHS
0.48
0.48
1.6
0.9
0.4
0
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.40
0.40
0.9
0.9
2.3
2
40
55
72
15
15
1
10
15
马克斯。
0.55
0.55
5.0
1.1
5.0
5.0
0.4
0.5
1.1
0.6
0.6
1.25
120000
-6ELS
分钟。
6.0
0.45
0.45
分钟。
(TCH , TCL )
2.0
0.9
2.0
1.0
THP
TQHS
0.6
0.6
1.6
0.9
0.4
0
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.40
0.40
1.1
1.1
2.7
2
42
60
72
18
18
1
12
15
马克斯。
0.55
0.55
5.0
1.1
5.0
5.0
0.5
0.65
1.1
0.6
0.6
1.25
120000
单位
ns
TCK
TCK
TCK
ns
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
ns
ns
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
ns
ns
3
3
3
7
3
3
2, 8
5, 8
6, 8
3
4
2, 8
笔记
初步数据表E1433E30 (版本3.0 )
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