欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EDD51163DBH-5BLS-F 参数 Datasheet PDF下载

EDD51163DBH-5BLS-F图片预览
型号: EDD51163DBH-5BLS-F
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 512M DDR位移动RAM ™ WTR (宽温度范围) ,低功耗功能 [512M bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature Range), Low Power Function]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 60 页 / 759 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
 浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第11页  
EDD51163DBH-LS
先进的数据保持电流
(大=
−25°C
至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V , VSS和VSSQ = 0V)
参数
先进的数据保持电流
(自刷新电流)
PASR = "000" (全)
PASR = "001" ( 2BK )
PASR = "010" ( 1BK )
PASR = "000" (全)
PASR = "001" ( 2BK )
PASR = "010" ( 1BK )
PASR = "000" (全)
PASR = "001" ( 2BK )
PASR = "010" ( 1BK )
IDD6
IDD6
符号
IDD6
典型值。
马克斯。
250
220
200
420
300
230
500
350
250
单位
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
+ 70°C < TJ
+85°C
CKE = L
+ 40°C < TJ
+70°C
CKE = L
条件
−25°C ≤
TJ
+40°C
CKE = L
笔记
注:1. IDD规格测试后,该设备已正确初始化。
2.输入转换率是测试条件规定。
3.定义为IDD :
L被定义为车辆
0.1
×
VDDQ ;
H被定义为车辆
0.9
×
VDDQ ;
稳定的被定义为输入稳定在H或L电平;
切换的定义如下:
地址和命令:输入每两个时钟周期, H和L之间切换一次;
数据总线输入: DQ H和L每一次时钟周期之间的变化; DM和DQS是稳定的。
直流特性2 ( TA =
−25°C
至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V , VSS和VSSQ = 0V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
−2.0
−1.5
0.9
×
VDDQ
马克斯。
2.0
1.5
0.1
×
VDDQ
单位
µA
µA
V
V
测试条件
0
VIN
VDDQ
0
VOUT
VDDQ ,
DQ =取消
IOH =
0.1mA
IOL = 0.1毫安
笔记
引脚电容( TA = + 25 ° C, VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V )
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
三角洲输入电容
Cdi1
Cdi2
数据输入/输出电容
增量的输入/输出电容
CI / O
CDIO
引脚
CK , / CK
所有其他输入专用管脚
CK , / CK
所有其他输入专用管脚
DQ , DM , DQS
DQ , DM , DQS
分钟。
1.5
1.5
2.0
典型值。
马克斯。
4.0
4.0
0.25
1.0
5.0
1.0
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
笔记
1
1
1
1
1, 2
1
注:1.这些参数的条件下测得:
TA = + 25°C 。
2. Dout的电路都被禁止。
F = 100MHz时, VOUT = VDDQ / 2 ,
ΔVOUT
= 0.2V,
初步数据表E1433E30 (版本3.0 )
7