ESMT
引脚说明
引脚名称
功能
地址输入
- 行地址A0 〜 A12
- 列地址A0 〜 A9
A10 / AP ：自动预充电
BA0 ， BA1 ：银行选择（ 4组）
数据输入/数据输出
命令输入
命令输入
命令输入
地
动力
双向差分数据选通。
LDQS和/ LDQS是DQS的DQ0 〜 DQ7 ;
UDQS和/ UDQS是DQS的DQ8 〜 DQ15 。
片上端接。
ODT仅应用于DQ0 〜 DQ15 ，DM， DQS
和/ DQS 。
无连接
引脚名称
M14D5121632A
工作温度条件（T
C
) -40
°
C~95
°
C
功能
DM为输入掩码信号为写入数据。
LDM是DM的DQ0 〜 DQ7和UDM是DM
对DQ8 〜 DQ15 。
差分时钟输入
时钟使能
芯片选择
电源电压DQ
地面DQ
参考电压
A0~A12,
BA0,BA1
DM
（ LDM ， UDM ）
DQ0~DQ15
RAS
CAS
WE
CLK ， CLK
CKE
CS
V
DDQ
V
SSQ
V
REF
V
SS
V
DD
的DQ ，
（ LDQS ，
UDQS ，
ODT
NC
)
V
DDL
电源电压为DLL
V
SSDL
地面DLL
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
在V电压
DDL
供应相对于V
SS
在V电压
DDQ
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDL
V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OUT
价值
-0.5 ~ 2.3
-1.0 ~ 2.3
-0.5 ~ 2.3
-0.5 ~ 2.3
-55 ~ +100
1
50
单位
V
V
V
V
°C (
注* ）
W
mA
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
注* ：
储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
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ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
