ESMT
参数
符号
测试条件
t
CK
= t
CK
（ IDD） ;
刷新命令每T
RFC
（ IDD）的时间间隔;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
其他的控制和地址总线输入切换;
数据总线输入切换
自刷新模式;
CLK和CLK为0V ; CKE
≤
0.2V;
其他的控制和地址总线输入浮动;
数据总线输入浮动
所有银行交错读取，我
OUT
= 0毫安;
BL = 4 ， CL = CL （ IDD ） ， AL = T
RCD
（ IDD） - 1 ×吨
CK
（ IDD） ;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RC
= t
RC
（ IDD ） ，
t
RRD
= t
RRD
（ IDD ） ，T
RCD
= 1 × t
CK
（ IDD） ;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
地址总线输入稳定Deslects期间;
数据模式是相同的IDD4W ;
-3
M14D5121632A
工作温度条件（T
C
) -40
°
C~95
°
C
VERSION
单位
自动刷新当前
IDD5
100
mA
自刷新电流
IDD6
6
mA
工作电流
（行交错）
IDD7
230
mA
注意：
1. IDD规格测试后，该设备已正确初始化。
2.输入转换率是由AC输入测试条件规定。
3. IDD参数指定了ODT禁用。
4.数据总线由DQ ， DM ， DQS和/ DQS的， IDD值必须满足与EMRS的所有组合10位和11 。
5.定义为IDD ：
LOW定义为V
IN
≤
V
IL
交流（AC） （最大） 。
高被定义为V
IN
V
IH
交流（AC） （分钟） 。
稳定的被定义为输入稳定在高电平或低电平。
浮被定义为输入在V
REF
= V
DDQ
/2
切换的定义如下：
地址和控制信号输入有高有低每隔一个时钟周期（每一次两个时钟）之间变化
DQ （不包括面罩或选通）信号输入HIGH和LOW所有其他数据传输之间的变化（每一次
时钟） 。
6.在T
C
≧ +85 ℃,
IDD6必须由80 ％降额。
IDD6将这一数额如果增加牛逼
C
≧ +85 ℃
和双重刷新选项仍处于启用状态。
7. AC时序IDD测试条件
为了IDD测试，下面的参数将被使用。
-3
参数
CL （ IDD）
的tRCD （ IDD）
tRC的（ IDD）
TRRD （ IDD）
TCK （ IDD）
tRAS的（ IDD）分钟。
tRAS的（ IDD）最大。
激进党（ IDD）
tRFC （ IDD）
DDR2-667
(5-5-5)
5
15
60
10
3
45
70000
15
105
单位
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
7/59
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
