ESMT
DC特定网络阳离子
（ IDD值电压和温度的操作范围内）
参数
符号
测试条件
一家银行;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RC
= t
RC
（ IDD ） ，T
RAS
= t
RAS
（ IDD）分钟;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
地址总线输入切换;
数据总线输入切换
一家银行;我
OUT
= 0毫安;
BL = 4， CL = CL （IDD） ，AL = 0;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RC
= t
RC
（ IDD ） ，
t
RAS
= t
RAS
（ IDD ）分钟，T
RCD
= t
RCD
（ IDD） ;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
地址总线输入切换;
数据模式是相同IDD4W
所有银行闲置;
t
CK
= t
CK
（ IDD） ; CKE低;
其它的控制和地址总线输入是稳定的;
数据总线输入浮动
所有银行闲置;
t
CK
= t
CK
（ IDD） ; CKE为高电平， CS为高电平;
其它的控制和地址总线输入是稳定的;
数据总线输入浮动
所有银行闲置;
t
CK
= t
CK
（ IDD） ; CKE为高电平， CS为高电平;
其他的控制和地址总线输入切换;
数据总线输入切换
所有银行开放;
t
CK
= t
CK
（ IDD） ; CKE低;
其它的控制和地址总线输入
是稳定的;
数据总线输入浮动
快PDN退出
刘健（ 12 ） = 0
慢PDN退出
刘健（ 12 ） = 1
M14D5121632A
工作温度条件（T
C
) -40
°
C~95
°
C
VERSION
-3
单位
工作电流
（活动 - 预充电）
IDD0
65
mA
工作电流
（活动 - 阅读 -
预充电）
IDD1
80
mA
预充电
掉电
待机电流
IDD2P
10
mA
预充电安静
待机电流
IDD2Q
15
mA
空闲待机电流IDD2N
20
mA
主动掉电
待机电流
IDD3P
15
mA
12
主动待机
当前
IDD3N
所有银行开放;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RAS
= t
RAS
（ IDD ）最大，T
RP
= t
RP
（ IDD） ;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
其他的控制和地址总线输入切换;
数据总线输入切换
所有银行开放，连续的突发读取，我
OUT
= 0毫安;
BL = 4， CL = CL （IDD） ，AL = 0;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RAS
= t
RAS
（ IDD ）最大，T
RP
= t
RP
（ IDD） ;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
地址总线输入切换;
数据模式是相同的IDD4W ;
所有银行开放，连拍写入;
BL = 4， CL = CL （IDD） ，AL = 0;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RAS
= t
RAS
（ IDD ）最大，T
RP
= t
RP
（ IDD） ;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
地址总线输入切换;
数据总线输入切换
35
mA
工作电流
（READ ）
IDD4R
145
mA
工作电流
（写）
IDD4W
140
mA
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
6/59
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
