ESMT
DC特性
推荐的操作条件，除非另有说明，T
A
= -40〜 85
°
C
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机
目前在掉电
模式
预充电待机
目前在非
掉电模式
符号
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
测试条件
M52D128168A
工作温度条件-40 ° C〜 85°C
CAS
潜伏期
VERSION
-7.5
65
0.5
0.5
10
-10
65
单位注
mA
mA
mA
mA
1
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟） ，T
CC
≥
t
CC
（分钟） ，我
OL
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=10ns
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=15ns
输入信号中2clks一次改变
所有其他引脚
≥
V
DD
-0.2V或
≤
0.2V
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
OL
= 0毫安，页突发
全波段激活，T
CCD
= t
的CCD （分钟）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
TCSR范围
I
CC2NS
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电
模式
（一银行活动）
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
10
5
2
25
mA
mA
mA
I
CC3NS
工作电流
（突发模式）
刷新当前
15
75
120
15
380
360
340
45
400
380
350
10
70
100
70
450
450
350
mA
mA
1
I
CC4
I
CC5
uA
°C
uA
2
自刷新电流
I
CC6
CKE
≤
0.2V
4银行
2银行
1银行
深度掉电
当前
I
CC7
CKE
≤
0.2V
uA
注意：
1.Measured具有输出开路。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
2.Refresh周期为64毫秒。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年9月
修订： 1.0
4/47
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
