MUN5230DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MUN5230DW1T1
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内容描述：	双偏置ResistorTransistors [Dual Bias ResistorTransistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 501 K
品牌：	ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]

MUN5211DW1T1

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1 （注3 ）

MUN5216DW1T1 （注3 ）

MUN5230DW1T1 （注3 ）

MUN5231DW1T1 （注3 ）

MUN5232DW1T1 （注3 ）

MUN5233DW1T1 （注3 ）

MUN5234DW1T1 （注3 ）

MUN5235DW1T1 （注3 ）

MUN5236DW1T1 （注3 ）

MUN5237DW1T1 （注3 ）

包

SOT–363

记号

(K)

4.7

1.0

2.2

4.7

2.2

100

(K)

系列

航运

3000 /磁带&卷轴

1.0

2.2

4.7

100

电气特性

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

和Q

)

特征

符号

开关特性

集电极 - 基极截止电流

= 50 V，I

= 0)

CBO

集电极 - 发射极截止电流（V

= 50 V，I

= 0)

首席执行官

EBO

发射基截止电流

MUN5211DW1T1

民

8 8

典型值

最大

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

–

单位

NADC

MADC

–

= 6.0 V，I

= 0)

MUN5212DW1T1

–

MUN5213DW1T1

–

MUN5214DW1T1

–

MUN5215DW1T1

–

MUN5216DW1T1

–

MUN5230DW1T1

–

MUN5231DW1T1

–

MUN5232DW1T1

–

MUN5233DW1T1

–

MUN5234DW1T1

–

MUN5235DW1T1

–

MUN5236DW1T1

–

MUN5237DW1T1

集电极 - 基极击穿电压（I

= 10

µA,

= 0)

（ BR ） CBO

–

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）。（我

= 2.0毫安，我

=0) V

（ BR ） CEO

–

3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

µs,

占空比< 2.0 ％

VDC

MUN5211dw–2/8

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