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MUN5230DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

MUN5230DW1T1图片预览
型号: MUN5230DW1T1
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内容描述: 双偏置ResistorTransistors [Dual Bias ResistorTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 501 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MUN5211DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,常见的Q
1
和Q
2
,)
特征
基本特征(注
6.)
输入电阻
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
电阻率
MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 / R
1
/R
2
MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5237DW1T1
6.脉冲测试:脉冲宽度< 300毫秒,占空比< 2.0 %
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
符号
(续)
典型值
最大
系列
单位
kΩ
300
P
D
,功耗(毫瓦)
250
200
150
100
50
833°C
0
–50
0
50
100
150
T
A
,环境温度( ° C)
图1.降额曲线
MUN5211dw–4/8