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MUN5230DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

MUN5230DW1T1图片预览
型号: MUN5230DW1T1
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内容描述: 双偏置ResistorTransistors [Dual Bias ResistorTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 501 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MUN5211DW1T1
电气特性 - MUN5214DW1T1
V
CE ( SAT )
最大集电极电压(伏)
系列
1
h
FE
,直流电流增益(标准化)
300
250
0.1
200
150
0.01
100
50
0.001
0
20
40
60
80
0
1
2
3
4
5
10
15
20
40
50
60 70
80
90 100
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图17. V
CE ( SAT )
与我
C
4
100
图18.直流电流增益
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
C
,集电极电流(毫安)
Ç OB电容(pF )
10
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
R
,反向偏置电压(伏)
V
in
,输入电压(伏)
图19.输出电容
10
图20.输出电流与输入oltage
V在,输入电压(伏)
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图21.输入电压与输出电流
MUN5211dw–8/8