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    MUN5230DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

    MUN5230DW1T1图片预览
    型号： MUN5230DW1T1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双偏置ResistorTransistors [Dual Bias ResistorTransistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 501 K
    品牌： ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
     浏览型号MUN5230DW1T1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MUN5230DW1T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MUN5230DW1T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MUN5230DW1T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MUN5230DW1T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MUN5230DW1T1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MUN5230DW1T1的Datasheet PDF文件第8页  
    MUN5211DW1T1
    电气特性 - MUN5212DW1T1
    V
    CE （ SAT ）
    最大集电极电压（伏）
    系列
    10
    h
    FE
    ，直流电流增益（标准化）
    1000
    1
    100
    0.1
    0.01
    0
    20
    40
    50
    10
    1
    10
    100
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图7. V
    CE （ SAT ）
    与我
    C
    4
    100
    图8.直流电流增益
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    Ç OB电容（pF ）
    10
    3
    1
    2
    0.1
    1
    0.01
    0.001
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    V
    R
    ，反向偏置电压（伏）
    V
    in
    ，输入电压（伏）
    图9.输出电容
    100
    图10.输出电流与输入oltage
    V在，输入电压（伏）
    10
    1
    0.1
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图11.输入电压与输出电流
    MUN5211dw–6/8

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