GS8180D18D-250/200/167/133/100
165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
•同时读取和写入SigmaQuad ™接口
• JEDEC标准的引脚和封装
•双双数据速率接口
•采样数据的时间字节写控制
•连拍4的读取和写入
• 1.8 V + 150 / -100 mV的核心供电
• 1.5 V或1.8 V HSTL接口
•流水线读操作
•完全一致的读取和写入管道
• ZQ模式引脚可编程输出驱动强度
• IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
• 165焊球， 13毫米×15毫米1毫米焊球间距的BGA封装
•未来的36MB ， 72MB ， 144MB和器件引脚兼容
•无铅165焊球BGA封装
4突发18MB
SigmaQuad SRAM
250兆赫， 100兆赫
1.8 V V
DD
1.8 V或1.5 V的I / O
SigmaQuad SRAM的是在多种配置提供。
有些模仿和提升等同步独立的I / O
的SRAM 。更高的性能SDR （单倍数据速率）突发
第2版还提供。之间的逻辑区别
通过这些RAM所使用的协议，主要取决于对
地址的各种组合爆棚，输出数据
登记，并写出点和结束点。随着通用I / O
家庭SigmaRAMs时， SigmaQuad家族的SRAM的
允许用户在实现该接口协议最适合于
手头的任务。
时序和解决方案
4 SigmaQuad SRAM一阵是同步的设备。它
采用了两个输入寄存器时钟输入，K和K K和K是
独立的单端时钟输入，不差分输入
到单个差分时钟输入缓冲器。该设备还
允许用户操纵的输出寄存器的时钟输入端
准独立的C和C时钟输入。 C和C都
还有独立的单端时钟输入，不差
输入。如果C时钟拉高，在K时钟路由
内火输出寄存器代替。
因为独立的I / O连拍4的RAM总是在传输数据
四包， A0，A1的内部设定为0的第一个读
SigmaRAM ™系列概述
GS8180D18构建符合SigmaQuad
SRAM引脚排列标准独立的I / O同步SRAM 。
他们是18874368位（ 18MB ）的SRAM 。这些是第一个在
一个家庭的宽，非常低的电压HSTL I / O设计的SRAM
在实现经济高所需要的速度来操作
高性能网络系统。
参数简介
-250
TKHKH
TKHQV
4.0纳秒
2.1纳秒
-200
5.0纳秒
2.3纳秒
-167
6.0纳秒
2.5纳秒
-133
7.5纳秒
3.0纳秒
-100
10纳秒
3.0纳秒
冯： 2.04 4/2005
1/28
© 2002年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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