2MB ： 128K ×18 ， 64K X 32/36
流通SYNCBURST SRAM
一般说明（续）
地址和写控制记录片上，以
简化写周期。这使得自定时写
周期。单个字节使能允许单个字节
被写入。
在X18设备上的写周期， BWA ＃
控制DQA引脚和DQPa ; BWB ＃控制DQB引脚
和DQPb 。在对X32和X36的写周期
设备， BWA ＃控制DQA引脚和DQPa ; BWB ＃
DQB控制引脚和DQPb ; BWC ＃控制DQC销
和DQPc ; BWD ＃ DQD控制引脚和DQPd 。 GW ＃
低导致要写入的所有字节。奇偶校验位是只
可利用×18和对x36版本。
美光科技公司的2Mb SRAM的SyncBurst从操作
+3.3V V
DD
电源，并且所有的输入和输出是
TTL兼容。用户可以选择3.3V或2.5V
I / O版本。该设备特别适用于486 ，
奔腾
®
， 680X0和PowerPC系统和系统
这得益于一个很宽的数据总线。该装置还
理想的通用16位， 18- ， 32-， 36- ， 64- ，和72位宽
应用程序。
请
参考
to
美光科技公司
WEB
现场
（ www.micronsemi.com/datasheets/syncds.html ）的
最新的数据表。
TQFP引脚分配表
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
x32/x36
NC / DQPc **
DQC
DQC
V
DD
Q
V
SS
NC
DQC
NC
DQC
DQB
DQC
DQB
DQC
V
SS
V
DD
Q
DQB
DQC
DQB
DQC
V
SS
V
DD
NC
V
SS
DQB
DQD
DQB
DQD
V
DD
Q
V
SS
DQB
DQD
DQB
DQD
DQPb
DQD
NC
DQD
x18
NC
NC
NC
针＃
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
x18
x32/x36
V
SS
V
DD
Q
NC
DQD
NC
DQD
NC
NC / DQPd **
模式
SA
SA
SA
SA
SA1
SA0
DNU
DNU
V
SS
V
DD
DNU
DNU
SA
SA
SA
SA
SA
SA
NC / SA *
针＃
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
x32/x36
NC / DQPa **
DQA
DQA
V
DD
Q
V
SS
NC
DQA
NC
DQA
DQA
DQA
V
SS
V
DD
Q
DQA
DQA
ZZ
V
DD
NC
V
SS
DQA
DQB
DQA
DQB
V
DD
Q
V
SS
DQA
DQB
DQA
DQB
DQPa
DQB
NC
DQB
x18
NC
NC
NC
针＃
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
x18
x32/x36
V
SS
V
DD
Q
DQB
DQB
NC / DQPb **
SA
SA
ADV ＃
ADSP ＃
ADSC ＃
OE ＃
BWE ＃
GW ＃
CLK
V
SS
V
DD
CE2#
BWA ＃
BWB ＃
BWC ＃
BWD ＃
CE2
CE＃
SA
SA
NC
NC
SA
NC
NC
*引脚50为地址的扩展保留。
**无连接（ NC ）上使用X32的版本。奇偶校验（ DQPx ）用于在对x36版本。
2MB ： 128K ×18 ， 64K X 32/36流通型SyncBurst SRAM
MT58L128L18F_2.p65 - 修订版6/01
3
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