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NAND01GW3B2CZA6F 参数 Datasheet PDF下载

NAND01GW3B2CZA6F图片预览
型号: NAND01GW3B2CZA6F
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内容描述: 1千兆位, 2千兆位, 2112字节/ 1056字的页面, 1.8 / 3V , NAND快闪存储器 [1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 60 页 / 1343 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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NAND01G-B2B, NAND02G-B2C  
Package mechanical  
Figure 37. VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package outline  
D
D2  
D1  
FD1  
FE  
e
SE  
b
E
E2 E1  
ddd  
BALL "A1"  
FE1  
A
A2  
e
SD  
FD  
A1  
BGA-Z75  
1. Drawing is not to scale  
Table 28. VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data  
millimeters  
Min  
inches  
Min  
Symbol  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
A
A1  
A2  
b
1.05  
0.041  
0.25  
0.010  
0.70  
0.50  
9.10  
0.028  
0.020  
0.358  
0.45  
9.00  
4.00  
7.20  
0.40  
8.90  
0.018  
0.354  
0.157  
0.283  
0.016  
0.350  
D
D1  
D2  
ddd  
E
0.10  
0.004  
0.437  
11.00  
5.60  
8.80  
0.80  
2.50  
0.90  
2.70  
1.10  
0.40  
0.40  
10.90  
11.10  
0.433  
0.220  
0.346  
0.031  
0.098  
0.035  
0.106  
0.043  
0.016  
0.016  
0.429  
E1  
E2  
e
FD  
FD1  
FE  
FE1  
SD  
SE  
57/60