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FM18L08-70-TG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FM18L08-70-TG
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内容描述: 256KB的字节宽度FRAM存储器 [256Kb Bytewide FRAM Memory]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 126 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM18L08
概观
该FM18L08是一个单字节宽, FRAM存储器。该
存储阵列在逻辑上组织为32,768 ×8
并使用行业标准的并行访问
界面。写入部分的所有数据立即
非易失性的,没有延迟。的功能操作
FRAM存储器的相同的SRAM型器件,
除了FM18L08需要的/ CE的下降沿到
启动每个存储周期。
该FM18L08驱动数据总线时, / OE是
置为低电平状态。如果/ OE是后置
存储器访问时间已经被满足时,数据总线
将驱动有效数据。如果/ OE之前断言
到的存储器访问结束后,将数据总线将
当有效数据可用来驱动。此功能
通过消除最大限度地减少电源电流的系统
造成无效数据瞬变驱动到
总线。当/ OE是不活动的数据总线将
保持三态的。
写操作
写入操作需要同时读取。该
FM18L08支持/ CE-和/ WE控制
写周期。在所有情况下,地址被锁存的
坠落/ CE的优势。
在/ CE的控制的写入时,/ WE信号被断言
开始前的存储周期。即, / WE为
当低/ CE下降。在这种情况下,该装置开始
存储器周期作为写入。该FM18L08不会
驱动/ OE状态的数据总线不管。
在/ WE控制写入,存储周期开始
在/ CE的下降沿。后/ WE信号下降
/ CE的下降沿。因此,存储器周期
开始是读。数据总线将被驱动
按/ OE ,直到状态/ WE下降。该
无论/ CE-和/ WE控制的写周期的时序
中示出的电气规格。
写访问数组后,异步开始
存储器周期开始。写访问
终止于/ WE或/ CE的上升沿,
以先到为准。数据建立时间,如图所示,在
电气规格,表示在区间
该数据之前写入的末端不能改变
访问。
不同于其他真正的非易失性存储器技术,
没有写延迟FRAM 。由于读
写底层的内存访问时间
同样,用户遇到通过没有延迟
总线。整个存储器操作发生在一个单一的
总线周期。因此,任何操作包括读或
可以写下面写立即发生。数据
投票站,与EEPROM与使用的技术
确定一个写操作完成,是不必要的。
预充电操作
预充电操作是一个内部条件
其中,所述存储器的状态准备一个新的
访问。所有的存储周期包括一个内存
访问和预充电。预充电的用户
通过取/ CE信号高或不活动引发。它
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内存操作
用户访问每8 32,768内存位置
通过并行接口的数据位。周期时间
是相同的读取和写入存储器的操作。
这简化了存储器控制器逻辑和定时
电路。同样的存取时间是相同的读
写内存操作。当/ CE为
去断言高时,预充电操作的开始,并且是
每个存储周期的要求。因此不像SRAM ,
访问时间和周期时间是不相等的。写操作发生
紧接在没有延迟的访问结束。
不象一个EEPROM ,它是没有必要的轮询
设备的就绪状态,因为写操作发生在公交车
速度。
注意, FM18L08包含有限量的低
电压的写保护电路。这将防止
访问时, V
DD
比指定的要低得多
工作范围。它仍然是用户的责任
确保V
DD
是数据表的公差范围内
防止不正确的操作。
该FM18L08被设计的方式来操作
类似于其他的单字节宽的内存产品。对于用户
熟悉SRAM ,性能足以媲美
但单字节宽接口工作在一个稍微
如下面描述的不同的方式。对于用户
熟悉EEPROM ,很明显的差异
从FRAM中的较高的写入性能产生
技术,包括无延迟写入和
无限的读写次数。
读操作
读操作开始/ CE的下降沿。
此时,在地址位锁存和一
存储器周期开始。一旦开始,全
存储周期必须在内部完成
无论/ CE的状态。数据变为可用
访问时间后在总线上已被满足。
在地址被锁存,地址值
在满足保持时间可以改变
参数。与SRAM ,改变地址值
会对之后的存储器操作没有影响
地址被锁存。
修订版3.4
2007年7月