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FM18L08-70-TG 参数 Datasheet PDF下载

FM18L08-70-TG图片预览
型号: FM18L08-70-TG
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内容描述: 256KB的字节宽度FRAM存储器 [256Kb Bytewide FRAM Memory]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 126 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM18L08
电气规格
绝对最大额定值
符号
描述
V
DD
电源电压相对于V
SS
V
IN
电压对任何信号引脚相对于V
SS
T
英镑
T
领导
V
ESD
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
静电放电电压
- 人体模型
( JEDEC标准JESD22 - A114 -B )
- 机型号
( JEDEC标准JESD22 - A115 -A )
包装湿度敏感度等级
评级
-1.0V至+ 5.0V
-1.0V至+ 5.0V和V
IN
& LT ; V
DD
+1V
-55 ° C至+ 125°C
300° C
4kV
400V
MSL - 1 ( SOIC / DIP )
MSL- 2( TSOP )
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力等级
只是,和该设备在这些或以上在本运算部中列出的任何其它条件的功能操作
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
直流工作条件
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
DD
= 3.0V至3.65V )
符号
参数
典型值
最大
V
DD
电源
3.0
3.65
I
DD
V
DD
电源电流 - 活动
-
7
15
I
SB1
待机电流 - TTL
400
I
SB2
待机电流 - CMOS
7
15
I
LI
输入漏电流
-
10
I
LO
输出漏电流
-
10
V
IH
输入高电压
2.0
V
DD
+ 0.5
V
IL
输入低电压
-0.5
0.8
V
OH
输出高电压(
I
OH
= -1.0毫安)
2.4
-
V
OL
输出低电压(
I
OL
= 3.2 mA)的
-
0.4
笔记
1.
V
DD
= 3.65V , / CE骑自行车的最小周期时间。所有输入为CMOS电平,输出全部卸载。
2.
V
DD
= 3.65V , / CE在V
IH
,所有其他引脚的TTL电平。
3.
V
DD
= 3.65V , / CE在V
DD
,所有其他引脚的CMOS电平。
4.
V
IN
, V
OUT
V之间
DD
和V
SS
.
单位
V
mA
µA
µA
µA
µA
V
V
V
V
笔记
1
2
3
4
4
修订版3.4
2007年7月
6 13