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    FM18L08-70-TG 参数 Datasheet PDF下载

    FM18L08-70-TG图片预览
    型号： FM18L08-70-TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256KB的字节宽度FRAM存储器 [256Kb Bytewide FRAM Memory]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 126 K
    品牌： RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
     浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第9页  
    FM18L08
    必须保持高电平至少最小预充电
    时序规范。
    用户决定该操作从一开始
    预充电不会开始，直到/ CE上升。不过，
    该设备有一个最大/ CE低电平时间规范
    必须满足。
    FRAM设计注意事项
    当FRAM第一次设计，用户
    SRAM会认识一些细微的差别。
    首先，单字节宽， FRAM存储器锁存每个地址
    在芯片上的下降沿启动。这允许
    地址总线启动内存后改变
    访问。由于每个接入锁存记忆
    在/ CE的下降沿地址，用户无法
    接地是因为它们可能与SRAM 。
    谁是修改现有的设计用户使用
    FRAM应检查内存控制器
    定时的地址和控制引脚兼容。
    每个存储器访问，必须使用低合格
    / CE的过渡。在许多情况下，这是唯一的
    变化的需要。的信号的一个例子
    的关系示于下面的图2 。也显示
    是一种常见的SRAM的信号关系，即不会
    为FM18L08工作。
    究其原因， / CE选通为每个地址是两
    折叠：它锁存该新地址，并创建
    必要的预充电周期，而/ CE为高电平。
    有效的存储器信令关系
    CE
    FRAM
    信号
    地址
    地址1
    地址2
    数据
    数据1
    数据2
    无效的内存信令关系
    CE
    SRAM
    信号
    地址
    地址1
    地址2
    数据
    数据1
    数据2
    图2.内存地址的关系
    修订版3.4
    2007年7月
    4 13

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