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    FM18L08-70-TG 参数 Datasheet PDF下载

    FM18L08-70-TG图片预览
    型号： FM18L08-70-TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256KB的字节宽度FRAM存储器 [256Kb Bytewide FRAM Memory]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 126 K
    品牌： RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
     浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第9页  
    FM18L08
    第二个设计考虑涉及的电平
    V
    DD
    在操作过程中。电池支持的SRAM是
    被迫监视V
    DD
    为了切换到电池
    备份。它们通常方框下面的用户访问
    某些V
    DD
    为了防止加载水平
    电池与来自活性SRAM的电流需求。
    用户可从访问该被突然切断
    记忆中毫无预警断电的情况。
    FRAM存储器不需要这个系统开销。
    内存不会阻止任何V访问
    DD
    的水平。
    用户，但是，应当防止从处理器
    访问内存时， V
    DD
    超出超差。该
    拿在处理器共同设计实践
    掉电复位过程中可能就足够了。这是
    建议在芯片使能拉高和
    允许跟踪V
    DD
    上电和断电时
    周期。这是用户的责任，以确保
    芯片使能为高，以防止低于V访问
    DD
    分钟。 （ 3.0V ） 。图3示出了一个外部上拉
    电阻上/ CE将继续在高脚
    电源周期假设MCU / MPU引脚三态
    在复位状态。上拉电阻值
    的选择应保证/ CE引脚跟踪V
    DD
    YET
    足够高的值，该值当前绘制时/ CE
    低不是一个问题。
    V
    DD
    R
    FM18L08
    CE
    MCU /
    MPU
    WE
    OE
    A(14:0)
    DQ
    图3.在/ CE采用上拉电阻
    修订版3.4
    2007年7月
    5 13

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