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    FM18L08-70-TG 参数 Datasheet PDF下载

    FM18L08-70-TG图片预览
    型号： FM18L08-70-TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256KB的字节宽度FRAM存储器 [256Kb Bytewide FRAM Memory]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 126 K
    品牌： RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
     浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号FM18L08-70-TG的Datasheet PDF文件第11页  
    FM18L08
    读周期AC参数
    (T
    A
    = -40 ° C至+ 85°C ，V
    DD
    = 3.0V至3.65V ）
    符号
    参数
    民
    t
    CE
    芯片使能存取时间（数据有效）
    t
    CA
    芯片使能有效时间
    70
    t
    RC
    读周期时间
    140
    t
    PC
    预充电时间
    70
    t
    AS
    地址建立时间
    0
    t
    AH
    地址保持时间
    15
    t
    OE
    输出启用访问时间
    t
    HZ
    芯片使能输出高-Z
    t
    OHZ
    输出使能到输出高阻
    写周期AC参数
    (T
    A
    = -40 ° C至+ 85°C ，V
    DD
    = 3.0V至3.65V ）
    符号
    参数
    民
    t
    CA
    芯片使能有效时间
    70
    t
    CW
    芯片使能写高
    70
    t
    WC
    写周期时间
    140
    t
    PC
    预充电时间
    70
    t
    AS
    地址建立时间
    0
    t
    AH
    地址保持时间
    15
    t
    WP
    写使能脉冲宽度
    40
    t
    DS
    数据设置
    40
    t
    DH
    数据保持
    0
    t
    WZ
    写使能低到输出高阻
    t
    WX
    写使能高到输出驱动
    10
    t
    HZ
    芯片使能输出高-Z
    t
    WS
    写设置
    0
    t
    WH
    写举行
    0
    笔记
    1
    2
    最大
    70
    2,000
    10
    15
    15
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    笔记
    1
    1
    最大
    2,000
    15
    15
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    笔记
    1
    1
    1
    2
    2
    此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
    / CE之间的关系和/ WE确定A / CE-或/ WE控制的写操作。不存在定时
    规范与此相关的关系。
    数据保留
    (V
    DD
    = 3.0V至3.65V ）
    参数
    数据保留
    民
    45
    单位
    岁月
    笔记
    1
    电源周期时序
    (T
    A
    = -40 ° C至+ 85°C ，V
    DD
    = 3.0V至3.65V ）
    符号
    参数
    民
    t
    PU
    V
    DD
    （分钟） ，以第一次访问开始
    1
    t
    PD
    上次访问完成到V
    DD
    （分）
    0
    电容
    (T
    A
    = 25 C，F = 1兆赫，V
    DD
    = 3.3V)
    符号
    参数
    C
    I / O
    输入/输出电容（ DQ ）
    C
    IN
    输入电容
    单位
    µS
    µS
    笔记
    最大
    8
    6
    单位
    pF
    pF
    笔记
    修订版3.4
    2007年7月
    7 13

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