KM29W040AT ， KM29W040AIT
产品介绍
FL灰内存
该KM29W040A是1024列组织为4096行的4M位的内存。 256位数据寄存器连接到存储器单元
阵列中读出的帧和帧的程序的操作容纳寄存器和所述单元阵列之间的数据传输。该
存储器阵列组成，其中8个细胞串联连接单元的NAND结构。
每个8细胞的驻留在不同的行中。一个块由32行，共4096单元NAND每个8位的结构。该
阵列的组织示于图2中的程序和读出操作是在一帧的基础上执行的，而擦除操作
以块为基础执行。存储器阵列由128分别可擦除4K字节的块。
该KM29W040A具有复用为8个I / O引脚地址。此方案不仅减少了引脚数量，但允许系统升级
通过保持系统电路板设计的一致性更高密度的闪存。命令，地址和数据都被写入
通过I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和
地址锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个
总线周期除外块擦除命令，它需要两个周期。对于字节级寻址， 512K字节的物理空间
需要一个19位地址，低行地址和高的行地址。读取帧和帧程序要求相同的三个地址
周期由指令输入以下。在块擦除操作中，但是，仅在两个行地址周期是必需的。
设备操作都通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令
该KM29W040A 。
表1.命令集
功能
读
RESET
框架计划
块擦除
状态读
读取ID
1日。周期
00h
FFH
80h
60h
70h
90h
第2位。周期
-
-
10h
D0h
-
-
O
O
在繁忙接受命令
4
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
