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KM29W040AT 参数 Datasheet PDF下载

KM29W040AT图片预览
型号: KM29W040AT
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内容描述: 512K ×8位NAND闪存 [512K x 8 bit NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 22 页 / 359 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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KM29W040AT , KM29W040AIT
引脚说明
命令锁存使能( CLE )
FL灰内存
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效,命令锁存
入命令寄存器通过上WE信号的上升沿,在I / O端口。
地址锁存使能( ALE )
在ALE输入控制用于地址和输入数据的路径激活到内部地址/数据寄存器。地址锁存
当ALE为低电平WE与ALE高,并且输入数据的上升沿被锁存。
芯片使能( CE )
行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间,设备将返回到待机模式。
然而,当设备处于忙状态期间的编程或擦除,CE高将被忽略,并且所述设备没有返回到
待机模式。
写使能( WE)
在WE输入控制写入到I / O端口。命令,地址和数据被锁存,在WE脉冲的上升沿。
读使能( RE )
对RE输入是串行数据输出控制,并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的吨
REA
下降沿之后
RE的这也加一内部列地址计数器。
I / O端口: I / O
0
- I / O
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在I / O引脚在读操作期间用于输入命令,地址和数据,并输出数据。在I / O引脚浮到高阻
当芯片被释放或当输出被禁止。
写保护( WP )
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时,
WP引脚为低电平有效。
就绪/忙( R / B)
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低,则表明一编程,擦除或随机读操作是
在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出,不浮到高阻状态时,芯片
被取消或输出被禁止。
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