Advance Product Information
September19, 2005
Linear Model for 0.6 mm Unit pHEMT cell
Rdg
Lg
Gate
Cgs
Rgs
R
i
+
Rds
gm
v
i
Cds
Rg
Cdg
Rd
Ld
Drain
TGF2022-12
v
i
-
Ls
Rp, Cp
8QLW S+(07 FHOO
5HIHUHQFH 3ODQH
Rs
Source
Gate
Drain
UPC
Source
Source
Source
UPC = 0.6mm Unit pHEMT Cell
MODEL
PARAMETER
Rg
Rs
Rd
gm
Cgs
Ri
Cds
Rds
Cgd
Tau
Ls
Lg
Ld
Rgs
Rgd
Vd = 8V
Idq = 45mA
0.22
0.40
0.51
0.195
1.50
1.65
0.115
243.14
0.072
5.94
0.001
0.108
0.121
5110
57700
Vd = 8V
Idq = 60mA
0.23
0.41
0.52
0.202
1.63
1.59
0.115
247.08
0.066
6.23
0.001
0.108
0.120
5140
64800
Vd = 8V
Idq = 75mA
0.24
0.41
0.52
0.202
1.70
1.58
0.116
255.12
0.063
6.51
0.001
0.108
0.118
8310
74400
Vd = 10V
Idq = 45mA
0.23
0.46
0.50
0.188
1.64
1.72
0.114
278.72
0.064
6.85
0.001
0.108
0.118
5110
79400
Vd = 10V
Idq = 60mA
0.24
0.45
0.50
0.195
1.73
1.64
0.115
279.31
0.061
6.95
0.001
0.108
0.118
5420
82900
Vd = 12V
Idq = 45mA
0.24
0.50
0.48
0.183
1.71
1.73
0.114
302.49
0.060
7.36
0.001
0.108
0.117
5120
82300
UNITS
Ω
Ω
Ω
S
pF
Ω
pF
Ω
pF
pS
nH
nH
nH
Ω
Ω
TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com
4