VG36641641DT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36641641DT
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	69 页 / 1363 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

Block Diagram

CLK

CKE

Clock

Generator

VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

Address

Mode

Row Decoder

Row

Address

Buffer

Refresh

Counter

Bank D

Bank C

Bank B

Bank A

Command Decoder

Sense Amplifier

Control Logic

Column

Address

Buffer

Burst

Counter

Column Decoder &

Latch Circuit

Input & Output

Buffer

Latch Circuit

RAS

CAS

DQM

Data Control Circuit

Document :1G5-0177

Rev.2

Page 3

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