VG36641641DT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36641641DT
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	69 页 / 1363 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

Test Conditions

AC input Levels (V

)

Input rise and fall time

2.0 / 0.8V

1ns

VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

AC Characteristics (Ta = 0 ~ 70°C, V

= V

DDQ

= 3.3

0.3V , V

= V

SSQ

= 0V, unless otherwise noted)

Input timing reference level /

Output timing reference level

Output load condition

1.4V

50pF

Note): 1.if clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5ns) should be added to the parameter.

Output Load Conditions

DDQ

OUT

DDQ

Z = 50

Ω

50PF

Device

Under

Test

Document :1G5-0177

Rev.2

Page 7

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