WCSN0436V1P
写周期说明
[7, 8]
功能
读
写
−
写入任何字节
写字节0
−
（ DQ
[7:0]
和DP
0
)
写字节1
−
（ DQ
[15:8]
和DP
1
)
写字节1,0
写字节2
−
（ DQ
[23:16]
和DP
2
)
写字节2,0
写字节2 ， 1
写字节2 ， 1 ， 0
写字节3
−
（ DQ
[31:24]
和DP
3
)
写字节3,0
写字节3,1
写字节3 ， 1,0
写字节3 ， 2
写字节3 ， 2 ， 0
写字节3 ， 2 ， 1
写的所有字节
WE
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
BWS
3
X
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
BWS
2
X
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
BWS
1
X
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
BWS
0
X
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度..................................
−65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
−55°C
至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND .........- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[9]
.....................................−0.5V
到V
DDQ
+ 0.5V
直流输入电压
[9]
..................................−0.5V
到V
DDQ
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
Com'l
Ind'l
环境
温度
[10]
0 ° C至+ 70°C
3.3V ± 5%
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
/V
DDQ
注意事项：
7. X = “无所谓” ， 1 =逻辑高电平， 0 =逻辑低电平。
8.写由WE和BWS的组合开始
x
。写字节数由BWS确定
[3:0]
。在字节写入未选择字节保持不变。所有
I / O的三态期间字节写入。
9.最小电压等于-2.0V的脉冲持续时间小于20纳秒。
10. T
A
是的情况下的温度。
文件编号： 38-05246牧师**
第14页6
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