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    WCSN0436V1P-100AI 参数 Datasheet PDF下载

    WCSN0436V1P-100AI图片预览
    型号： WCSN0436V1P-100AI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128Kx36流水线SRAM与NOBL TM架构 [128Kx36 Pipelined SRAM with NoBL TM Architecture]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 14 页 / 285 K
    品牌： WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
     浏览型号WCSN0436V1P-100AI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号WCSN0436V1P-100AI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号WCSN0436V1P-100AI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号WCSN0436V1P-100AI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号WCSN0436V1P-100AI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号WCSN0436V1P-100AI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号WCSN0436V1P-100AI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号WCSN0436V1P-100AI的Datasheet PDF文件第11页  
    WCSN0436V1P
    电气特性
    在整个工作范围
    参
    TER
    V
    DD
    V
    DDQ
    V
    OH
    V
    OL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    X
    描述
    电源电压
    I / O电源电压
    输出高电压
    输出低电压
    输入高电压
    输入低电压
    [9]
    输入负载电流
    输入电流
    模式
    I
    OZ
    I
    CC
    输出漏
    当前
    V
    DD
    操作
    供应
    GND
    ≤
    V
    I
    ≤
    V
    DDQ ，
    输出禁用
    V
    DD
    =最大，我
    OUT
    = 0 mA时，
    f = f
    最大
    = 1/t
    CYC
    5.0 ns的周期，频率为166 MHz
    6.6 ns的周期， 150 MHz的
    7.0 ns的周期， 143兆赫
    7.5 ns的周期， 133 MHz的
    10.0 ns的周期， 100兆赫
    12.5 ns的周期， 80兆赫
    I
    SB1
    自动CE
    掉电
    目前-TTL输入
    最大。 V
    DD
    ，设备选中，
    V
    IN
    ≥
    V
    IH
    或V
    IN
    ≤
    V
    IL
    f = f
    最大
    = 1/t
    CYC
    5.0 ns的周期，频率为166 MHz
    6.6 ns的周期， 150 MHz的
    7.0 ns的周期， 143兆赫
    7.5 ns的周期， 133 MHz的
    10.0 ns的周期， 100兆赫
    12.5 ns的周期， 80兆赫
    I
    SB2
    自动CE
    掉电
    目前， CMOS
    输入
    自动CE
    掉电
    目前， CMOS
    输入
    最大。 V
    DD
    ，设备选中，
    V
    IN
    ≤
    0.3V或V
    IN
    ＆ GT ;
    V
    DDQ
    - 0.3V ， F = 0
    最大。 V
    DD
    ，设备选中，或
    V
    IN
    ≤
    0.3V或V
    IN
    ＆ GT ; V
    DDQ
    – 0.3V
    f = f
    最大
    = 1/t
    CYC
    所有速度等级
    GND
    ≤
    V
    I
    ≤
    V
    DDQ
    V
    DD
    =最小值，我
    OH
    = -4.0毫安
    [11]
    V
    DD
    =最小值，我
    OL
    = 8.0毫安
    [11]
    2.0
    −0.3
    −5
    −30
    −5
    测试条件
    分钟。
    3.135
    3.135
    2.4
    0.4
    V
    DD
    +
    0.3V
    0.8
    5
    30
    5
    400
    375
    350
    300
    250
    200
    80
    70
    60
    50
    40
    35
    5
    马克斯。
    3.465
    3.465
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    I
    SB3
    5.0 ns的周期，频率为166 MHz
    6.6 ns的周期， 150 MHz的
    7.0 ns的周期， 143兆赫
    7.5 ns的周期， 133 MHz的
    10.0 ns的周期， 100兆赫
    12.5 ns的周期， 80兆赫
    70
    60
    50
    40
    30
    25
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    注意：
    11.用于V负载
    OH
    和V
    OL
    测试示出在交流测试负载的图（ b）所示。
    文件编号： 38-05246牧师**
    第14页第7

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